Piezoresistive Schockbeschleunigungssensoren, die mit MEMS-Technologie hergestellt werden, haben einen geringen Stromverbrauch und liefern dennoch ein Ausgangsignal von +/- 200 mV bei Beschleunigungswerten von bis zu 50.000 g. Die Beschleunigungssensoren sind elektrisch kompatibel mit 4-Leiter-Schaltungen, die zur Konditionierung einer DMS-Vollbrücke verwendet werden. Im Vergleich zu mechanisch gefilterten ICP®-Beschleunigungssensoren verfügen sie über einen größeren Betriebstemperaturbereich. Ihr Frequenzbereich startet bei 0 Hz (DC) und kann, je nach Modell, einen Wert von bis zu 20 kHz annehmen. Um die Anregung der Resonanzfrequenz zu verhindern, verfügen sie über eine Squeeze-Film-Dämpfung und erreichen kritische Werte von 0,02 bis 0,06. Diese Dämpfungswerte sind wesentlich höher als die, die in älteren MEMS-Beschleunigungssensoren zu finden sind. Da Silizium ein sprödes Material ist, werden auch über den Messbereich hinausgehende Stopps eingebaut, um die Bruchgefahr für das Sensorelement zu minimieren. Ferner wird das Sensorelement in einem hermetisch dichten Gehäuse versiegelt. Bei vergleichbaren g-Werten kann mit der MEMS-Technologie die kleinste Gehäusegröße für einzelne Beschleunigungssensoren erreicht werden.